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'''载流子'''，顾名思义即是运载电流的粒子。在导体中，只有自由电子这一种载流子进行导电；而在半导体中有两种载流子，即自由电子和空穴，这是半导体导电的特殊性质。
<!-----由于半导体中掺入了3价或者5价的元素后，在形成共价键后，会有多出空穴（掺入3价的元素后，某些原子周围形成四个共价键，其中一个键含有空穴，形成这个共价键本来需要两个电子，但只提供了一个电子，剩余的那个“空位”，即是“空穴”）；及自由电子（掺入5价元素，形成共价键后多出的电子）。以上两种可以运载电荷的粒子，即成为载流子。普通导体导电有一种载流子：自由电子；而半导体有两种：自由电子和空穴。----->
== 自由电子和空穴 ==
=== 自由电子 ===
在常温下，本征半导体中有极少数的价电子因热运动获得足够能量，从而挣脱共价键的束缚成为自由电子。若在本征半导体两端加一电场，则自由电子将会产生定向移动，形成电子电流。
=== 空穴 ===
电子挣脱共价键的束缚后，会在共价键留下一个空位置，称为'''空穴'''。原子失掉一个价电子而带正电，可说空穴带正电。在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现。若在本征半导体两端加一电场，则价电子将按一定的方向填补空穴，即空穴产生定向移动，形成空穴电流。本征半导体中自由电子和空穴所带电荷的极性不同，所以它们的运动方向相反，本征半导体中的电流是两个电流之和。
== 本征半导体中载流子的浓度 ==
*'''本征激发'''：在热激发下，半导体产生自由电子和空穴的现象。
*'''复合'''：自由电子在运动过程中遇到空穴并填补空穴，使两者同时消失。
在一定温度下，由'''本征激发'''产生的自由电子和空穴对与'''复合'''的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。换言之，在一定温度下，本征半导体中的载流子浓度是一定的，并且自由电子和空穴的浓度相等。
当环境温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也增多，载流子浓度升高，使导电性增强。反之，载流子浓度降低，导电能力变差。

本征半导体的载流子浓度是关于环境温度的函数：</br><center><math>n_i=i_i=K_1T^\frac{3}{2}e^\frac{-E_{GO}}{(2kT)}</math></center></br>在上式中，<math>n_i</math>和<math>p_i</math>分别表示自由电子和空穴的浓度（<math>\mathrm{cm^{-3}}</math>），<math>T</math>为热力学温度，<math>k</math>为玻尔兹曼常数（<math>\mathrm{8.63\times10^{-5}eV/K}</math>），<math>E_{GO}</math>为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度，（硅为<math>1.21\mathrm{eV}</math>，锗为<math>0.785\mathrm{eV}</math>），<math>K_1</math>是与半导体材料载流子有效能级密度有关的常量（硅为<math>3.87\times10^{16}\mathrm{cm^{-3}\cdot K^{-3/2}}</math>，锗为<math>1.76\times10^{16}\mathrm{cm^{-3}\cdot K^{-3/2}}</math>）。从上式中可以看出，当<math>T=0\mathrm K</math>时，自由电子与空穴的浓度均为零，本征半导体成为绝缘体；当温度升高时，本征半导体载流子的浓度近似按指数曲线升高。在常温下，即<math>T=300\mathrm K</math>时，硅材料的本征载流子浓度<math>n_i=p_i=1.43\times10^{10}\mathrm{cm^{-3}}</math>，锗材料的本征载流子浓度<math>n_i=p_i=2.38\times10^{13}\mathrm{cm^{-3}}</math>。