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4.2.2
一無限大盤帶一常數充電密度<math>\sigma</math>，平行於一無限大接地導體盤上距離<math>d</math>處，如圖。求處處電場。

4.2.3
一正點充電<math>q</math>位於一大街地導體盤上距離<math>d</math>處如圖。此導體盤於<math>xy</math>平面卡氏座標。求板上點<math>A</math>處電場強度，<math>R\gg d</math>。

4.2.4
一無限大接地導體位於<math>y=0</math>平面。一點充電<math>q</math>帶到<math>(x,y,z)=(0,d,0)</math>。求此電位分布<math>V(x,y,z)</math>與此電廠分布<math>\overline E (x,y,z)</math>。

4.2.5
一無限大接地板導體位於<math>y=0</math>平面。一點充電<math>q</math>帶到<math>(x,y,z)=(0,d,0)</math>。求

# 此表面充電密度<math>\rho_s</math>。
# 此總充電induced於導體平面上。

4.2.6
一無限大接地平面導體位於<math>y=0</math>平面。一點充電<math>q</math>帶到<math>(x,y,z)=(0,d,0)</math>。

# 繪製此映像法模型
# 解釋可以支持此映像法的此理論。
# 求此系統靜電能。
# 求<math>q</math>受力。
# 求要多少能量將此帶電<math>q</math>移到一距離此無限大盤導體2d遠處。

4.2.7
一點充電<math>q</math>距離一接地導體盤<math>d</math>處。需多少能量將此帶電移到距此盤無窮遠處？

4.2.9
一正點充電<math>Q</math>位於距兩接地perpendicular導體半平面們<math>d_1</math>與<math>d_2</math>處，如圖。求由這些充電induced於這些平面上形成於<math>Q</math>上力。

4.2.10
求image充電們將取代此導電的邊界們maintained於零電位對於一無限線帶電<math>\rho_\ell</math>位於兩大intersecting導體平面們夾<math>60^\circ</math>角midway。

4.6.1
求由拉普拉斯等式解出一電容此空氣區此電位分布與此電場強度。此電容由兩厚平行金屬板相距<math>d</math>組成。此上板於<math>y=d</math>電位<math>V_0</math>與此低板於<math>y=0</math>接地。

4.7.1
一無限長的矩形幫浦平行z軸，在<math>y=0</math>、<math>y=b</math>與<math>x=0</math>有三接地金屬面。第四面在<math>x=a</math>維持在一常數電位<math>V_0</math>。求此幫浦內此電位。

4.7.2
一矩形導體容器寬<math>a</math>、高<math>b</math>，維持在零電位如圖。右板電位<math>V(a,y)=20\times\sin\frac{\pi}{b}y(V)</math>。容器裡無體充電。求此容器內電位分布<math>V(x,y)</math>。

4.7.3
兩接地、semi-infinite、平行板electrodes相距<math>a</math>。一第三electrode perpendicular且絕緣於兩者維持在一常數電位<math>V_0</math>。求這些electrodes圍成此區域內此電位分布。

4.9.1
一非常長同軸纜線此內導體半徑<math>a</math>電位<math>V_0</math>與此外導體內徑<math>b</math>為接地。若此二導體間的此介電質permittivity<math>\varepsilon=kr</math>，<math>k</math>是一常數。求此二導體間空間內電位分佈。

4.9.2
二無限大絕緣導體盤電位0與<math>V_0</math>以wedge狀所設定，如下所示。求此些區域的此些電位分佈：

#<math>0<\phi <\alpha</math>
#<math>\alpha <\phi <2\pi</math>

4.9.3
一非常長同軸纜線內導體半徑<math>a</math>電位<math>V_0</math>外導體內徑<math>b</math>接地。二導體間介電質permittivity<math>\varepsilon</math>。

# 求二導體間空間內電位分佈。
# 求此同軸纜線的每單位長電容值。

4.9.4
近無限長導體盤於

4.10.1
一無限長薄導體圓柱半徑<math>b</math>分成四等份的圓柱，如圖。求此圓柱內外電位分佈。

4.10.2
一無限長薄導體圓柱殼半徑<math>a</math>分成二半。求殼內外的電位分佈。

4.11.1
此導體球內殼半徑<math>a</math>電位<math>V_1</math>此外殼半徑<math>b</math>電位<math>V_2</math>。二同心殼間填充一絕緣材質。求這些殼間此電位分佈。

4.11.2
求一球狀的電子們的雲一均勻體積充電密度<math>\rho =-\rho_0</math>（<math>\rho_0</math>是一正的數量）在<math>0\leqslant R\leqslant{a}</math>且<math>R>a</math>時<math>\rho =0</math>的內外此<math>\overline E</math>場由柏松與拉氏等式的<math>V</math>。

4.11.3
一球電容一內導體球半徑<math>a</math>外導體內球牆半徑<math>b</math>。此內外導體間填充一介電材質permittivity<math>\varepsilon</math>。內導體電位<math>V_0</math>外導體接地。求此介電材質內此電壓與這些電場分佈、此表面充電密度與<math>R=a</math>與<math>R=b</math>此些表面上的此總充電，與此電容電容值。

4.11.5
一導電錐與一地盤分開處有一infinitesimal絕緣間隙，如圖。錐軸perpendicular於導電地盤。此錐此電位V<sub>0</sub>此地此電位0。以此些球座標的拉氏等式解此區<math>\alpha <\theta <90^\circ</math>與此錐上此表面充電密度。提示：可能要使用此積分公式<math>\int(1/\sin\theta)\operatorname{d}\theta=\ln(\tan\theta/2)</math>

4.11.6
一球導電殼半徑<math>a</math>，中心在原點，空氣內電位<math>V_0</math>（零電位於無限大處）。以<math>\sqrt{x^2+y^2+z^2}</math>表示。
# 求電位函數<math>V(r)</math>於<math>r<a</math>與<math>r>a</math>。
# 求此電場<math>\overline E</math>於<math>r<a</math>與<math>r>a</math>。
# 求此電場內儲存的能。

4.12.1
一不充電的導電球半徑<math>a</math>置於一原均勻電場<math>\overline E_0=\hat a_zE_0 </math>。求
# 此導體外的此電位分佈<math>V(R,\theta)</math>。
# 此球的此介入後的此導體外的此電場強度<math>\overline E(R,\theta)</math>。