电磁学/静电学的解法

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4.2.2 一無限大盤帶一常數充電密度σ,平行於一無限大接地導體盤上距離d處,如圖。求處處電場。

4.2.3 一正點充電q位於一大街地導體盤上距離d處如圖。此導體盤於xy平面卡氏座標。求板上點A處電場強度,Rd

4.2.4 一無限大接地導體位於y=0平面。一點充電q帶到(x,y,z)=(0,d,0)。求此電位分布V(x,y,z)與此電廠分布E(x,y,z)

4.2.5 一無限大接地板導體位於y=0平面。一點充電q帶到(x,y,z)=(0,d,0)。求

  1. 此表面充電密度ρs
  2. 此總充電induced於導體平面上。

4.2.6 一無限大接地平面導體位於y=0平面。一點充電q帶到(x,y,z)=(0,d,0)

  1. 繪製此映像法模型
  2. 解釋可以支持此映像法的此理論。
  3. 求此系統靜電能。
  4. q受力。
  5. 求要多少能量將此帶電q移到一距離此無限大盤導體2d遠處。

4.2.7 一點充電q距離一接地導體盤d處。需多少能量將此帶電移到距此盤無窮遠處?

4.2.9 一正點充電Q位於距兩接地perpendicular導體半平面們d1d2處,如圖。求由這些充電induced於這些平面上形成於Q上力。

4.2.10 求image充電們將取代此導電的邊界們maintained於零電位對於一無限線帶電ρ位於兩大intersecting導體平面們夾60角midway。

4.6.1 求由拉普拉斯等式解出一電容此空氣區此電位分布與此電場強度。此電容由兩厚平行金屬板相距d組成。此上板於y=d電位V0與此低板於y=0接地。

4.7.1 一無限長的矩形幫浦平行z軸,在y=0y=bx=0有三接地金屬面。第四面在x=a維持在一常數電位V0。求此幫浦內此電位。

4.7.2 一矩形導體容器寬a、高b,維持在零電位如圖。右板電位V(a,y)=20×sinπby(V)。容器裡無體充電。求此容器內電位分布V(x,y)

4.7.3 兩接地、semi-infinite、平行板electrodes相距a。一第三electrode perpendicular且絕緣於兩者維持在一常數電位V0。求這些electrodes圍成此區域內此電位分布。

4.9.1 一非常長同軸纜線此內導體半徑a電位V0與此外導體內徑b為接地。若此二導體間的此介電質permittivityε=krk是一常數。求此二導體間空間內電位分佈。

4.9.2 二無限大絕緣導體盤電位0與V0以wedge狀所設定,如下所示。求此些區域的此些電位分佈:

  1. 0<ϕ<α
  2. α<ϕ<2π

4.9.3 一非常長同軸纜線內導體半徑a電位V0外導體內徑b接地。二導體間介電質permittivityε

  1. 求二導體間空間內電位分佈。
  2. 求此同軸纜線的每單位長電容值。

4.9.4 近無限長導體盤於

4.10.1 一無限長薄導體圓柱半徑b分成四等份的圓柱,如圖。求此圓柱內外電位分佈。

4.10.2 一無限長薄導體圓柱殼半徑a分成二半。求殼內外的電位分佈。

4.11.1 此導體球內殼半徑a電位V1此外殼半徑b電位V2。二同心殼間填充一絕緣材質。求這些殼間此電位分佈。

4.11.2 求一球狀的電子們的雲一均勻體積充電密度ρ=ρ0ρ0是一正的數量)在0RaR>aρ=0的內外此E場由柏松與拉氏等式的V

4.11.3 一球電容一內導體球半徑a外導體內球牆半徑b。此內外導體間填充一介電材質permittivityε。內導體電位V0外導體接地。求此介電材質內此電壓與這些電場分佈、此表面充電密度與R=aR=b此些表面上的此總充電,與此電容電容值。

4.11.5 一導電錐與一地盤分開處有一infinitesimal絕緣間隙,如圖。錐軸perpendicular於導電地盤。此錐此電位V0此地此電位0。以此些球座標的拉氏等式解此區α<θ<90與此錐上此表面充電密度。提示:可能要使用此積分公式(1/sinθ)dθ=ln(tanθ/2)

4.11.6 一球導電殼半徑a,中心在原點,空氣內電位V0(零電位於無限大處)。以x2+y2+z2表示。

  1. 求電位函數V(r)r<ar>a
  2. 求此電場Er<ar>a
  3. 求此電場內儲存的能。

4.12.1 一不充電的導電球半徑a置於一原均勻電場E0=a^zE0。求

  1. 此導體外的此電位分佈V(R,θ)
  2. 此球的此介入後的此導體外的此電場強度E(R,θ)